国家/地区 韩国（128） 美国（60） 世界知识产权组织（9） 中国（8） 欧洲专利局（EPO）（8） 日本（6）
IPC部 H（130） C（60） B（40）
G（16）
IPC大类 H01（130）
IPC小类 H01L（92） C01B（50） H01B（26）
B82Y（20） B32B（16） C23C（16）
H01M（15） H01G（13） B01J（11）
B82B（8） H05B（5） C01G（4）
C08K（4） G02F（4） G03F（4）
IPC C01B031/02（32） H01L029/16（25） C01B031/04（20）
H01L021/02（19） H01L029/786（18） B82Y040/00（15）
H01B005/14（12） H01B001/04（11） B32B009/00（10）
B82Y030/00（10） H01L029/66（10） H01L029/78（9）
H01M010/052（9） H01L021/336（8） H01M004/36（8）
发明人 LEE H（19） CHOI J（17） CHOI J Y（17）
SHIN H J（14） KIM S（13） SHIN H（13）
LEE Y（11） WHANG D M（11） AHN J（10）
KIM S W（10） WHANG D（10） LEE E（8）
LEE Y H（8） CHOI B（7） HONG B H（7）
公开年 2014（24） 2013（19） 2021（16） 2015（13） 2017（11） 2011（10） 2023（8） 2012（6） 2016（6） 2022（6） 2020（5） 2018（2） 2019（2）
申请年 2013（22）  2012（17）  2014（14）  2015（14）  2020（12）  2021（12）  2011（11）  2010（5）  2019（5）  2016（4）  2018（4）  2022（4）  2009（3）  2017（2） 
专利权人 UNIV SUNGKYUNKWAN RES BUSINESS FOUND（130）

Optical sensor using Schottky junction, has upper electrode that is extended from above insulating layer, connected to upper end of semiconductor material, and configured for transmitting light incident from outside to lower electrode.

JONG R W, DU OH B, MOON I, SHINHOSUNG, KWANG P H, MUHAMMAD T

Method for manufacturing large-area semiconductor device, involves forming semiconductor layer by coating second dispersion in which two dimensional material are dispersed on insulating film.

HOUN K J, KIM J H

Quasi-heterogeneous semiconductor junction multiplication method arithmetic device, has source electrode positioned on first region, where work functions of first and second regions are differently adjusted.

HOUN K J, KIM J H, JUNG M

Forming thin film of transition metal dichalcogenide involves providing substrate in reaction chamber, depositing transition metal dichalcogenide thin film on substrate using sputtering process that uses transition metal precursor and chalcogen precursor and is performing at first temperature.

JUNG J, SOHN A, SHIN H, BYUN K, KIM S, KIM C

Preparing hydrogel for energy storage device, involves forming pre-gel comprising polymer and metal salt particles, shrinking and dehydrating pre-gel and impregnating shrunk and dehydrated pre-gel with ion solution to cross-link and rehydrate shrunk and dehydrated pre-gel to produce hydrogel.

JI D, KIM J Y, HWAN J D

Preparing graphene useful in transistor, comprises supplying substituted alkyne based precursor to chamber including first zone and second zone, vaporizing or sublimating precursor in first zone, and depositing sublimed precursor.

LEE H Y, SEO S, CHOI J, LEE H

Electrode useful in secondary battery of portable electronic devices, and electric vehicles comprise rearranged layered carbon material including multiple slits.

JEONG H M, SIM W

Infrared sensing device having high sensitivity and low power consumption comprises e.g. channel layer including transition metal dichalcogenide thin film and graphene layer stacked on top of transition metal dichalcogenide thin film.

YU W J, KUNWAR S, KIM H J

Method for manufacturing LED structure, involves directly synthesizing graphene layer on substrate without transferring , synthesizing LED layer on graphene layer, and directly synthesizing graphene layer on substrate.

YI G, LEE S, YOO D, LEE C, MUHAMMAD S A, LIM C, LEE S J, GU L C, ABBAS M S, LIM C R

Active material used for cathode for electrode for lithium secondary battery, comprises layered cathode active material particles comprising at least one element chosen from nickel, cobalt and manganese, and graphene.

KIM Y J, JUNGHOON L, HWANG S, SEO J K, PARK C